O processo RIE (Reactive Ion Etching) é um processo de gravura a seco utilizado principalmente na produção de eletrónica e microeletrónica para a limpeza ou ativação rápida de superfícies, para a incineração de fotorresistências ou para a estruturação de circuitos em bolachas semicondutoras.

Para este efeito, é geralmente utilizado um reator de placa plana, como se mostra esquematicamente na Figura 1. Se for aplicada uma tensão alternada de alta frequência aos eléctrodos a uma pressão negativa na gama de 10-2 a 10-1 mbar, é desencadeada uma descarga de gás de baixa pressão (plasma). Devido à diferente mobilidade das partículas de gás carregadas no plasma (iões pesados, electrões leves), forma-se um potencial negativo no elétrodo mais pequeno, o chamado potencial de polarização automática. Este potencial situa-se na gama de alguns 10 a alguns 100 volts.

Quando são utilizados os gases de processo corretos, ocorrem agora dois efeitos nos substratos (bolachas, placas de circuitos impressos, etc.) que se encontram sobre o elétrodo mais pequeno:

1. Remoção química da superfície do substrato ou das impurezas existentes através da reação com partículas reactivas do plasma (gravação por plasma)
2. Remoção física por transferência direta do momento de iões acelerados no campo elétrico para a superfície (gravação por pulverização catódica)

O processo RIE combina as vantagens de ambos os efeitos - elevada seletividade, elevada taxa de ataque e remoção anisotrópica.